Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SI6467BDQ-T1-E3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SI6467BDQ-T1-E3-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 12V 6.8A 8-TSSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 12 V 6.8A (Ta) Surface Mount 8-TSSOP
Αποθέμα:
13059578
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SI6467BDQ-T1-E3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
TrenchFET®
Συσκευασία
Cut Tape (CT)
Κατάσταση εξαρτήματος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
12 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.8A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
12.5mOhm @ 8A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
850mV @ 450µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
70 nC @ 4.5 V
Δυνατότητα FET
-
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-TSSOP
Συσκευασία / Θήκη
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI6467
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
SI6467BDQ-T1-E3DKR
SI6467BDQT1E3
SI6467BDQ-T1-E3CT
SI6467BDQ-T1-E3TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SI4348DY-T1-E3
MOSFET N-CH 30V 8A 8SO
SIR844DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 25V 50A PPAK SO-8
SQM100P10-19L_GE3
MOSFET P-CH 100V 93A TO263
