Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SISH434DN-T1-GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SISH434DN-T1-GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 40V 17.6A/35A PPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 40 V 17.6A (Ta), 35A (Tc) 3.8W (Ta), 52W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8SH
Αποθέμα:
9000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13059898
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SISH434DN-T1-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
40 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
17.6A (Ta), 35A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
7.6mOhm @ 16.2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1530 pF @ 20 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.8W (Ta), 52W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® 1212-8SH
Συσκευασία / Θήκη
PowerPAK® 1212-8SH
Βασικός αριθμός προϊόντος
SISH434
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
SISH434DN-T1-GE3TR
SISH434DN-T1-GE3DKR
SISH434DN-T1-GE3CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SI4038DY-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 42.5A 8SO
SQ3460EV-T1_GE3
MOSFET N-CH 20V 8A 6TSOP
SI4010DY-T1-GE3
MOSFET N-CHANNEL 30V 31.3A 8SO