SI2303BDS-T1
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

SI2303BDS-T1

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

SI2303BDS-T1-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 30V 1.49A SOT23-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 30 V 1.49A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

Αποθέμα:

13056253
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

SI2303BDS-T1 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.49A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
200mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
180 pF @ 15 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
700mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3 (TO-236)
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI2303

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SI2303CDS-T1-GE3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
15853
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SI2303CDS-T1-GE3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.12
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AO3409
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
5524
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
AO3409-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.06
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RRR015P03TL
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1880
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RRR015P03TL-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.13
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTR4502PT1G
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
NTR4502PT1G-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.07
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDN352AP
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Fairchild Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
12000
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDN352AP-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.13
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay

SI4886DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 9.5A 8SO

vishay

SI2314EDS-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3

vishay

SI5459DU-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 8A PPAK

vishay

SI4196DY-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 8A 8SO