Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SI5459DU-T1-GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SI5459DU-T1-GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V 8A PPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 8A (Tc) 3.5W (Ta), 10.9W (Tc) Surface Mount PowerPAK® ChipFET™ Single
Αποθέμα:
2267 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13056486
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SI5459DU-T1-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Κατάσταση εξαρτήματος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
52mOhm @ 6.7A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
26 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
665 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.5W (Ta), 10.9W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-50°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® ChipFET™ Single
Συσκευασία / Θήκη
PowerPAK® ChipFET™ Single
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI5459
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
SI5459DU-T1-GE3DKR
SI5459DUT1GE3
SI5459DU-T1-GE3TR
SI5459DU-T1-GE3-ND
SI5459DU-T1-GE3CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SI4196DY-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 8A 8SO
SI1405DL-T1-GE3
MOSFET P-CH 8V 1.6A SC70-6
SI4434DY-T1-E3
MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO
