IRLD014PBF

Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IRLD014PBF

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IRLD014PBF-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP

Λεπτομερής Περιγραφή:

N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP

Αποθέμα:

513 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα

13053461

Αίτηση Προσφοράς

Ποσότητα
Ελάχιστο 1

(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών

ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IRLD014PBF Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία

FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs

Κατασκευαστής

Vishay

Συσκευασία

Tube

Σειρά

-

Συσκευασία

Tube

Κατάσταση εξαρτήματος

Last Time Buy

Τύπος FET

N-Channel

Τεχνολογία

MOSFET (Metal Oxide)

Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)

60 V

Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C

1.7A (Ta)

Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 5V

Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs

200mOhm @ 1A, 5V

Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID

2V @ 250µA

Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs

8.4 nC @ 5 V

Vgs (Μέγ.)

±10V

Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds

400 pF @ 25 V

Δυνατότητα FET

-

Απαγωγή ισχύος (μέγ.)

1.3W (Ta)

Θερμοκρασία λειτουργίας

-55°C ~ 175°C (TJ)

Τύπος τοποθέτησης

Through Hole

Πακέτο συσκευής προμηθευτή

4-HVMDIP

Συσκευασία / Θήκη

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Βασικός αριθμός προϊόντος

IRLD014

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων

Φύλλα δεδομένων

HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο

100

Άλλα ονόματα

*IRLD014PBF

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS

ROHS3 Compliant

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)

1 (Unlimited)

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Πιστοποίηση DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Σχετικά προϊόντα

vishay

IRF614SPBF

MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK

vishay

IRC634PBF

MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220-5

vishay

IRLD024PBF

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP

vishay

IRFP9140

MOSFET P-CH 100V 21A TO247-3