IRF614SPBF
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

IRF614SPBF

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

IRF614SPBF-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 250 V 2.7A (Tc) 3.1W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Αποθέμα:

1010 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13053639
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

IRF614SPBF Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Συσκευασία
Tube
Κατάσταση εξαρτήματος
Last Time Buy
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
250 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2.7A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
140 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
3.1W (Ta), 36W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-263 (D2PAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRF614

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,000

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF740SPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1208
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF740SPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.05
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay

IRC634PBF

MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220-5

vishay

IRLD024PBF

MOSFET N-CH 60V 2.5A 4DIP

vishay

IRFP9140

MOSFET P-CH 100V 21A TO247-3

vishay

IRF9Z10

MOSFET P-CH 60V 6.7A TO220AB