SI7904DN-T1-E3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

SI7904DN-T1-E3

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

SI7904DN-T1-E3-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 20V 5.3A PPAK 1212
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 5.3A 1.3W Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual

Αποθέμα:

12918244
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

SI7904DN-T1-E3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5.3A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
30mOhm @ 7.7A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 935µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
-
Ισχύς - Μέγιστη
1.3W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
PowerPAK® 1212-8 Dual
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® 1212-8 Dual
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI7904

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SI7904BDN-T1-GE3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4384
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SI7904BDN-T1-GE3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.44
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

SI3585CDV-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP

vishay-siliconix

SQJ560EP-T1_GE3

MOSFET N/P-CH 60V 30A PPAK SO8

vishay-siliconix

SIA914DJ-T1-E3

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

vishay-siliconix

SI4330DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 30V 6.6A 8SOIC