SI7106DN-T1-E3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

SI7106DN-T1-E3

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

SI7106DN-T1-E3-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 20V 12.5A PPAK1212-8
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 12.5A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8

Αποθέμα:

32856 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12914723
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

SI7106DN-T1-E3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
12.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
6.2mOhm @ 19.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
27 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.5W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerPAK® 1212-8
Συσκευασία / Θήκη
PowerPAK® 1212-8
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI7106

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
SI7106DN-T1-E3CT
SI7106DN-T1-E3TR
SI7106DN-T1-E3DKR
SI7106DNT1E3

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH info available upon request
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

SI1031X-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 155MA SC75A

vishay-siliconix

SI1031X-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 155MA SC75A

vishay-siliconix

SI3453DV-T1-GE3

MOSFET P-CHANNEL 30V 3.4A 6TSOP

vishay-siliconix

SI7230DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8