Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SI1031X-T1-GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SI1031X-T1-GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V 155MA SC75A
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 155mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-75A
Αποθέμα:
12914734
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SI1031X-T1-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
155mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
8Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±6V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
300mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-75A
Συσκευασία / Θήκη
SC-75, SOT-416
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI1031
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDY101PZ
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
777
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDY101PZ-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.10
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SI1031X-T1-E3
MOSFET P-CH 20V 155MA SC75A
SI3453DV-T1-GE3
MOSFET P-CHANNEL 30V 3.4A 6TSOP
SI7230DN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8
