SI1031X-T1-GE3
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

SI1031X-T1-GE3

Product Overview

Κατασκευαστής:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

SI1031X-T1-GE3-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 20V 155MA SC75A
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 155mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount SC-75A

Αποθέμα:

12914734
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

SI1031X-T1-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
155mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
8Ohm @ 150mA, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1.2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
1.5 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±6V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
300mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SC-75A
Συσκευασία / Θήκη
SC-75, SOT-416
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI1031

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDY101PZ
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
777
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDY101PZ-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.10
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

SI1031X-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 155MA SC75A

vishay-siliconix

SI3453DV-T1-GE3

MOSFET P-CHANNEL 30V 3.4A 6TSOP

vishay-siliconix

SI7230DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 9A PPAK 1212-8

vishay-siliconix

SI4114DY-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 20A 8SO