Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SI5908DC-T1-GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SI5908DC-T1-GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 4.4A 1.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
Αποθέμα:
27807 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12918167
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SI5908DC-T1-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4.4A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
40mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
7.5nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
-
Ισχύς - Μέγιστη
1.1W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SMD, Flat Lead
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
1206-8 ChipFET™
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI5908
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
SI5908DC-T1-GE3TR
SI5908DCT1GE3
SI5908DC-T1-GE3DKR
SI5908DC-T1-GE3CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SI4946BEY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
SI7288DP-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 40V 20A PPAK SO8
SI7904DN-T1-E3
MOSFET 2N-CH 20V 5.3A PPAK 1212
