Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SI4501BDY-T1-GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SI4501BDY-T1-GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N/P-CH 30V/8V 12A 8SOIC
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V, 8V 12A, 8A 4.5W, 3.1W Surface Mount 8-SOIC
Αποθέμα:
12918148
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SI4501BDY-T1-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel, Common Drain
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V, 8V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
12A, 8A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
17mOhm @ 10A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
25nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
805pF @ 15V
Ισχύς - Μέγιστη
4.5W, 3.1W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
8-SOIC
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI4501
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
SI4501BDY-T1-GE3DKR
SI4501BDY-T1-GE3CT
SI4501BDY-T1-GE3TR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMC3021LSD-13
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Diodes Incorporated
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
94854
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
DMC3021LSD-13-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.15
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SI5944DU-T1-E3
MOSFET 2N-CH 40V 6A PPAK CHIPFET
SI5908DC-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
SI4946BEY-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 6.5A 8SOIC
