Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SI3460DDV-T1-GE3
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SI3460DDV-T1-GE3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6TSOP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 7.9A (Tc) 1.7W (Ta), 2.7W (Tc) Surface Mount 6-TSOP
Αποθέμα:
938 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12914196
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
08Rq
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SI3460DDV-T1-GE3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
TrenchFET®
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7.9A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
28mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
18 nC @ 8 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
666 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.7W (Ta), 2.7W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-TSOP
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Βασικός αριθμός προϊόντος
SI3460
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
SI3460DDV-T1-GE3DKR
SI3460DDV-T1-GE3TR
SI3460DDVT1GE3
SI3460DDV-T1-GE3CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDC637AN
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
12361
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDC637AN-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.25
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RUM003N02T2L
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
22863
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RUM003N02T2L-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.08
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RF4C050APTR
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
5045
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RF4C050APTR-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.20
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RPT-38PT3F
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1993
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RPT-38PT3F-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.26
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RQ1A060ZPTR
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
35921
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RQ1A060ZPTR-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.28
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRFR120TR
MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK
IRLZ44S
MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
IRFI640G
MOSFET N-CH 200V 9.8A TO220-3
