Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
RF4C050APTR
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
RF4C050APTR-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 20V 10A HUML2020L8
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 10A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount HUML2020L8
Αποθέμα:
5045 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13526203
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
RF4C050APTR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
10A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
26mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
55 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
-8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
5500 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
2W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
HUML2020L8
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerUDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
RF4C050
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
RF4C050APTRDKR
RF4C050APTRDKR-ND
RF4C050APCT
RF4C050AP
RF4C050AP-ND
T2198597
RF4C050APTRCT
RF4C050APTRCT-ND
RF4C050APDKR
Q7763030AZ
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
RRL025P03FRATR
MOSFET P-CH 30V 2.5A TUMT6
RD3P08BBDTL
MOSFET N-CH 100V 80A TO252
RQ3E180AJTB
MOSFET N-CH 30V 18A/30A 8HSMT
