Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IRLD014
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IRLD014-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 1.7A 4DIP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 1.7A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Αποθέμα:
12910266
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IRLD014 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.7A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
200mOhm @ 1A, 5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
8.4 nC @ 5 V
Vgs (Μέγ.)
±10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
400 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1.3W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
4-HVMDIP
Συσκευασία / Θήκη
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRLD014
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
*IRLD014
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRLD014PBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
513
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRLD014PBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.61
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRFBG20
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
IRFU110
MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA
IRF744L
MOSFET N-CH 450V 8.8A I2PAK