Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IRFP22N50APBF
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IRFP22N50APBF-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 500V 22A TO247-3
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 500 V 22A (Tc) 277W (Tc) Through Hole TO-247AC
Αποθέμα:
1827 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12960003
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
boOA
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IRFP22N50APBF Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
500 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
22A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
230mOhm @ 13A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3450 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
277W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247AC
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRFP22
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
25
Άλλα ονόματα
*IRFP22N50APBF
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
STWA60N099DM9AG
MOSFET N-CH 600V 29A TO247
SQS180ELNW-T1_GE3
AUTOMOTIVE N-CHANNEL 80 V (D-S)
SI2314EDS-T1-GE3
MOSFET N-CH 20V 3.77A SOT23-3
