Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IRF9Z24
Product Overview
Κατασκευαστής:
Vishay Siliconix
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IRF9Z24-DG
Περιγραφή:
MOSFET P-CH 60V 11A TO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 60 V 11A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB
Αποθέμα:
12960038
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IRF9Z24 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Vishay
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
11A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
280mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
570 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
60W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRF9
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
*IRF9Z24
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS non-compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF9Z24PBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
7101
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF9Z24PBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.73
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF9Z24NPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1872
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF9Z24NPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.25
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
MFR Recommended
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
IRFZ34PBF
MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
IRFR9014NTRR
MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
SIHG47N60E-GE3
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AC
