Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
1N65G
Product Overview
Κατασκευαστής:
UMW
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
1N65G-DG
Περιγραφή:
SOT-223 N-CHANNEL POWER MOSFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 1A (Tj) Surface Mount SOT-223
Αποθέμα:
2490 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12991441
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
1N65G Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
UMW
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
UMW
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1A (Tj)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
4.8 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
150 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
-
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-223
Συσκευασία / Θήκη
TO-261-4, TO-261AA
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
4518-1N65GCT
4518-1N65GDKR
4518-1N65GTR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
