25N06
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

25N06

Product Overview

Κατασκευαστής:

UMW

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

25N06-DG

Περιγραφή:

TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 25A (Tc) 36.2W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)

Αποθέμα:

2237 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12991443
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

25N06 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
UMW
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
UMW
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
25A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
29mOhm @ 19A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
21.2 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
939 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
36.2W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-252 (DPAK)
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
2,500
Άλλα ονόματα
4518-25N06CT
4518-25N06TR
4518-25N06DKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
utd-semiconductor

AO3409A

30V 2.6A 130MR@10V,2.6A 1.4W 3V@

utd-semiconductor

SI2318A

SOT-23 N-CHANNEL POWER MOSFETS R

utd-semiconductor

SI2308A

60V 2A 1.25W 160MR@10V,2A 3V@250

utd-semiconductor

SI2312A

20V 3.77A 750MW [email protected],5A 850