UJ4SC075011B7S
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

UJ4SC075011B7S

Product Overview

Κατασκευαστής:

Qorvo

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

UJ4SC075011B7S-DG

Περιγραφή:

750V/11MOHM, N-OFF SIC STACK CAS
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 750 V 104A (Tc) 357W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

Αποθέμα:

12990053
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

UJ4SC075011B7S Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Qorvo
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
750 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
104A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
14.2mOhm @ 60A, 12V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5.5V @ 10mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
75 nC @ 15 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
3245 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
357W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
D2PAK-7
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Βασικός αριθμός προϊόντος
UJ4SC075

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
2312-UJ4SC075011B7SCT
2312-UJ4SC075011B7SDKR
2312-UJ4SC075011B7STR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6K810R,LF

SMALL SIGNAL MOSFET N-CH VDSS=10

infineon-technologies

IAUS300N08S5N014TATMA1

MOSFET N-CH 80V 300A HDSOP-16-2

onsemi

NTMFS0D8N03CT1G

MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,

unitedsic

UJ4C075023B7S

750V/23MOHM, N-OFF SIC CASCODE,