UJ4C075023B7S
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

UJ4C075023B7S

Product Overview

Κατασκευαστής:

Qorvo

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

UJ4C075023B7S-DG

Περιγραφή:

750V/23MOHM, N-OFF SIC CASCODE,
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 750 V 64A (Tc) 278W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

Αποθέμα:

1043 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12990105
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

UJ4C075023B7S Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Qorvo
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
750 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
64A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
29mOhm @ 40A, 12V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6V @ 10mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
37.8 nC @ 15 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1400 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
278W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
D2PAK-7
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Βασικός αριθμός προϊόντος
UJ4C075

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
2312-UJ4C075023B7SDKR
2312-UJ4C075023B7SCT
2312-UJ4C075023B7STR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMP3037LSSQ-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V SO-8 T&R 2

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3J118TU,LF

PB-F SMALL LOW ON RESISTANCE PCH

vishay-siliconix

SISH892BDN-T1-GE3

N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET POW

nexperia

PSMNR98-25YLEX

PSMNR98-25YLE/SOT669/LFPAK