UF3SC120040B7S
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

UF3SC120040B7S

Product Overview

Κατασκευαστής:

Qorvo

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

UF3SC120040B7S-DG

Περιγραφή:

1200V/40MOHM, SIC, STACKED FAST
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 47A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

Αποθέμα:

1452 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12986599
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

UF3SC120040B7S Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Qorvo
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Cascode SiCJFET)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
47A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
12V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
45mOhm @ 35A, 12V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
6V @ 10mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
43 nC @ 12 V
Vgs (Μέγ.)
±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1500 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
214W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
D2PAK-7
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Δελτία δεδομένων
Φύλλα δεδομένων
HTML Δελτίο δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
800
Άλλα ονόματα
2312-UF3SC120040B7SCT
2312-UF3SC120040B7STR
2312-UF3SC120040B7SDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
vishay-siliconix

IRFR214TRPBF-BE3

N-CHANNEL 250V

goford-semiconductor

GT100N12M

MOSFET N-CH 120V 70A TO-263

diodes

DMT6030LFCL-7

MOSFET BVDSS: 41V~60V X1-DFN1616

diodes

DMTH4014LFVWQ-7

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333