DMT6030LFCL-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMT6030LFCL-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMT6030LFCL-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET BVDSS: 41V~60V X1-DFN1616
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 6.5A (Ta) 780mW (Ta) Surface Mount U-DFN1616-6 (Type K)

Αποθέμα:

2426 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12986610
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMT6030LFCL-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.5A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
25mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9.1 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
639 pF @ 30 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
780mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
U-DFN1616-6 (Type K)
Συσκευασία / Θήκη
6-PowerUFDFN

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
31-DMT6030LFCL-7TR
31-DMT6030LFCL-7DKR
31-DMT6030LFCL-7CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMTH4014LFVWQ-7

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333

goford-semiconductor

G02P06

P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2

wolfspeed

C3M0120065J

650V 120M SIC MOSFET

vishay-siliconix

SQJA82EP-T1_BE3

N-CHANNEL 80-V (D-S) 175C MOSFET