Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
TPH3212PS
Product Overview
Κατασκευαστής:
Transphorm
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
TPH3212PS-DG
Περιγραφή:
GANFET N-CH 650V 27A TO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 27A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220AB
Αποθέμα:
13446813
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
TPH3212PS Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Transphorm
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
27A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
72mOhm @ 17A, 8V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.6V @ 400uA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
14 nC @ 8 V
Vgs (Μέγ.)
±18V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1130 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
104W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
TPH3212
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
RoHS Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
TPH3208LD
GANFET N-CH 650V 20A 4PQFN
TPH3206PD
GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
TP65H035WS
GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3