TPH3206PD
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

TPH3206PD

Product Overview

Κατασκευαστής:

Transphorm

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

TPH3206PD-DG

Περιγραφή:

GANFET N-CH 600V 17A TO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 17A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB

Αποθέμα:

68 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13446880
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

TPH3206PD Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Transphorm
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
17A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 11A, 8V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.6V @ 500µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±18V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
760 pF @ 480 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
96W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
TPH3206

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
RoHS Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SCT20N120
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
580
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SCT20N120-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
10.66
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TPH3206PS
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Transphorm
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
341
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TPH3206PS-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
4.91
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Parametric Equivalent
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
transphorm

TP65H035WS

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

transphorm

TPH3208PS

GANFET N-CH 650V 20A TO220AB

transphorm

TP65H050WS

GANFET N-CH 650V 34A TO247-3

rohm-semi

RH6P030BG

TRANS MOSFET N-CH SMD