TPH3202PD
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

TPH3202PD

Product Overview

Κατασκευαστής:

Transphorm

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

TPH3202PD-DG

Περιγραφή:

GANFET N-CH 600V 9A TO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 65W (Tc) Through Hole TO-220AB

Αποθέμα:

13446567
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

TPH3202PD Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Transphorm
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
600 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
9A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
350mOhm @ 5.5A, 8V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±18V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
760 pF @ 480 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
65W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220AB
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STP15N60M2-EP
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
334
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STP15N60M2-EP-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.76
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK10E60W,S1VX
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Toshiba Semiconductor and Storage
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
30
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
TK10E60W,S1VX-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.31
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
transphorm

TPH3206LDB

GANFET N-CH 650V 16A PQFN

transphorm

TPH3208LSG

GANFET N-CH 650V 20A 3PQFN

transphorm

TP65H070LSG

GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN

transphorm

TPH3206LDGB

GANFET N-CH 650V 16A PQFN