Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
TP65H300G4LSG-TR
Product Overview
Κατασκευαστής:
Transphorm
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
TP65H300G4LSG-TR-DG
Περιγραφή:
GANFET N-CH 650V 6.5A 3PQFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 6.5A (Tc) 21W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)
Αποθέμα:
6582 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13275975
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
TP65H300G4LSG-TR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Transphorm
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
GaNFET (Gallium Nitride)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
8V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
312mOhm @ 5A, 8V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.6V @ 500µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
9.6 nC @ 8 V
Vgs (Μέγ.)
±18V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
760 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
21W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
3-PQFN (8x8)
Συσκευασία / Θήκη
3-PowerDFN
Βασικός αριθμός προϊόντος
TP65H300
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
1707-TP65H300G4LSGDKRINACTIVE
1707-TP65H300G4LSG
1707-TP65H300G4LSGCT
TP65H300G4LSG
1707-TP65H300G4LSG-TRCT
1707-TP65H300G4LSG-ND
1707-TP65H300G4LSG-TRDKR
1707-TP65H300G4LSGCT-ND
1707-TP65H300G4LSGTR-ND
1707-TP65H300G4LSGTR
1707-TP65H300G4LSGDKR
1707-TP65H300G4LSGDKR-ND
1707-TP65H300G4LSG-TR
1707-TP65H300G4LSGCTINACTIVE
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
TP65H150G4LSG
GAN FET N-CH 650V PQFN
TPH3206LSGB
GANFET N-CH 650V 16A 3PQFN
IPA029N06NM5SXKSA1
MOSFET N-CH 60V 87A TO220
