Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
TK14N65W,S1F
Product Overview
Κατασκευαστής:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
TK14N65W,S1F-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 13.7A TO247
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 13.7A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-247
Αποθέμα:
12891590
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
TK14N65W,S1F Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
Tube
Σειρά
DTMOSIV
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
13.7A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
250mOhm @ 6.9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.5V @ 690µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1300 pF @ 300 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
130W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-247
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
TK14N65
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
30
Άλλα ονόματα
TK14N65WS1F
TK14N65W,S1F(S
TK14N65W,S1F-DG
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTH30N60P
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
648
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTH30N60P-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
5.55
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW18N60M2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
476
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STW18N60M2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.26
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SSM6J503NU,LF
MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
TPCA8A01-H(TE12L,Q
MOSFET N-CH 30V 36A 8SOP
TK65S04K3L(T6L1,NQ
MOSFET N-CH 40V 65A DPAK
