SSM6J503NU,LF
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

SSM6J503NU,LF

Product Overview

Κατασκευαστής:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

SSM6J503NU,LF-DG

Περιγραφή:

MOSFET P-CH 20V 6A 6UDFNB
Λεπτομερής Περιγραφή:
P-Channel 20 V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)

Αποθέμα:

2186 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12891592
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

SSM6J503NU,LF Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
U-MOSVI
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
P-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
6A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
32.4mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
12.8 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±8V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
840 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
1W (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
6-UDFNB (2x2)
Συσκευασία / Θήκη
6-WDFN Exposed Pad
Βασικός αριθμός προϊόντος
SSM6J503

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
SSM6J503NULF(TCT-DG
SSM6J503NULFTR
SSM6J503NU,LF(B
SSM6J503NULF(TDKR
SSM6J503NULFDKR
SSM6J503NU,LF(T
SSM6J503NULF(TCT
SSM6J503NULF
SSM6J503NULF(TTR-DG
SSM6J503NULF(TDKR-DG
SSM6J503NULFCT
SSM6J503NULF(TTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RF4C050APTR
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
5045
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RF4C050APTR-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.20
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PMPB29XPE,115
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Nexperia USA Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
14231
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PMPB29XPE,115-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.11
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
toshiba-semiconductor-and-storage

TPCA8A01-H(TE12L,Q

MOSFET N-CH 30V 36A 8SOP

toshiba-semiconductor-and-storage

TK65S04K3L(T6L1,NQ

MOSFET N-CH 40V 65A DPAK

diodes

DMG10N60SCT

MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB

toshiba-semiconductor-and-storage

2SK3462(TE16L1,NQ)

MOSFET N-CH 250V 3A PW-MOLD