HN4A51JTE85LF
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

HN4A51JTE85LF

Product Overview

Κατασκευαστής:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

HN4A51JTE85LF-DG

Περιγραφή:

TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
Λεπτομερής Περιγραφή:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SMV

Αποθέμα:

6119 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12889130
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

HN4A51JTE85LF Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Δίπολοι Τρανζίστορ Σειρές
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος τρανζίστορ
2 PNP (Dual)
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
100mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
120V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
100nA (ICBO)
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
200 @ 2mA, 6V
Ισχύς - Μέγιστη
300mW
Συχνότητα - Μετάβαση
100MHz
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SC-74A, SOT-753
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SMV
Βασικός αριθμός προϊόντος
HN4A51

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
HN4A51J (TE85L,F)
HN4A51J(TE85L,F)
HN4A51JTE85LFDKR
HN4A51JTE85LFCT
HN4A51JTE85LFTR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
toshiba-semiconductor-and-storage

HN1C01FU-Y,LF

NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50

toshiba-semiconductor-and-storage

HN3C51F-GR(TE85L,F

TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6

toshiba-semiconductor-and-storage

HN1C01FU-GR,LF

TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

toshiba-semiconductor-and-storage

HN3A51F(TE85L,F)

TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6