HN3C51F-GR(TE85L,F
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

HN3C51F-GR(TE85L,F

Product Overview

Κατασκευαστής:

Toshiba Semiconductor and Storage

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

HN3C51F-GR(TE85L,F-DG

Περιγραφή:

TRANS 2NPN 120V 0.1A SM6
Λεπτομερής Περιγραφή:
Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 120V 100mA 100MHz 300mW Surface Mount SM6

Αποθέμα:

12889166
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

HN3C51F-GR(TE85L,F Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
Διπολικός (BJT), Δίπολοι Τρανζίστορ Σειρές
Κατασκευαστής
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος τρανζίστορ
2 NPN (Dual)
Ρεύμα - Συλλέκτης (Ic) (Μέγ.)
100mA
Ανάλυση εκπομπού τάσης - συλλέκτη (μέγ.)
120V
Vce κορεσμός (μέγ.) @ Ib, Ic
300mV @ 1mA, 10mA
Ρεύμα - Συλλέκτης Cutoff (Μέγ.)
100nA (ICBO)
Κέρδος ρεύματος DC (hFE) (ελάχιστο) @ IC, Vce
200 @ 2mA, 6V
Ισχύς - Μέγιστη
300mW
Συχνότητα - Μετάβαση
100MHz
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SC-74, SOT-457
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SM6
Βασικός αριθμός προϊόντος
HN3C51

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
HN3C51FGR(TE85LFTR
HN3C51F-GR(TE85LF)CT-DG
HN3C51F-GR(TE85LF)TR-DG
HN3C51F-GR(TE85LFDKR
HN3C51F-GR(TE85LF)TR
HN3C51F-GR(TE85LFTR
HN3C51F-GR(TE85L,F)
HN3C51FGR(TE85LFTR-DG
HN3C51F-GRTE85LF
HN3C51F-GR(TE85LFCT
HN3C51F-GR(TE85LF)CT
HN3C51F-GR(TE85LF)DKR
HN3C51F-GR(TE85LF)DKR-DG

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
toshiba-semiconductor-and-storage

HN1C01FU-GR,LF

TRANS 2NPN 50V 0.15A US6

toshiba-semiconductor-and-storage

HN3A51F(TE85L,F)

TRANS 2PNP 120V 0.1A SM6

toshiba-semiconductor-and-storage

HN4A56JU(TE85L,F)

TRANS 2 PNP 50V 150MA 5TSSOP

toshiba-semiconductor-and-storage

HN2C01FU-Y(TE85L,F

TRANS 2NPN 50V 0.15A US6