TSM7ND65CI
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

TSM7ND65CI

Product Overview

Κατασκευαστής:

Taiwan Semiconductor Corporation

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

TSM7ND65CI-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 650V 7A ITO220
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 50W (Tc) Through Hole ITO-220

Αποθέμα:

3 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12900020
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

TSM7ND65CI Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Taiwan Semiconductor
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.35Ohm @ 1.8A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.8V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1124 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
50W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
ITO-220
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Βασικός αριθμός προϊόντος
TSM7

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
TSM7ND65CI RLG
TSM7ND65CI-DG
TSM7ND65CI C0G
1801-TSM7ND65CI

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
taiwan-semiconductor

TSM120N06LCR RLG

MOSFET N-CH 60V 54A 8PDFN

taiwan-semiconductor

TSM70N10CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 100V 70A TO252

diodes

DMN2230UQ-7

MOSFET N-CH 20V 2A SOT23

diodes

DMP3004SSS-13

MOSFET P-CH 30V 16.2A 8SO T&R 2