DMN2230UQ-7
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

DMN2230UQ-7

Product Overview

Κατασκευαστής:

Diodes Incorporated

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

DMN2230UQ-7-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 20V 2A SOT23
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 20 V 2A (Ta) 600mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

Αποθέμα:

126145 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12900069
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

DMN2230UQ-7 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Diodes Incorporated
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2A (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 4.5V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
110mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
2.3 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
188 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
600mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
SOT-23-3
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
DMN2230

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
DMN2230UQ-7DITR
DMN2230UQ-7DICT
DMN2230UQ-7DIDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
diodes

DMP3004SSS-13

MOSFET P-CH 30V 16.2A 8SO T&R 2

taiwan-semiconductor

TSM2NB60CP ROG

MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252

diodes

DMS3014SFG-7

MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8

diodes

DMN3115UDM-7

MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT-26