Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
STP60NE06-16
Product Overview
Κατασκευαστής:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
STP60NE06-16-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 60 V 60A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
Αποθέμα:
12878178
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
STP60NE06-16 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
STMicroelectronics
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
60A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
16mOhm @ 30A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
160 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
6200 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
150W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
STP60N
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
497-2770-5
497-2770-5-NDR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RFP70N06
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
725
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RFP70N06-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.86
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
STFU6N65
MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
SCT10N120
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
STL24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
