Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
STFU6N65
Product Overview
Κατασκευαστής:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
STFU6N65-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 4A TO220FP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 620mW (Ta), 77W (Tc) Through Hole TO-220FP
Αποθέμα:
982 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12878183
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
STFU6N65 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
STMicroelectronics
Συσκευασία
Tube
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
4A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
2.7Ohm @ 2A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
463 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
620mW (Ta), 77W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TA)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220FP
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
STFU6
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
-497-16968
497-16968
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STF6N65M2
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
STMicroelectronics
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
300
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
STF6N65M2-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.54
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SCT10N120
SICFET N-CH 1200V 12A HIP247
STL24N60M2
MOSFET N-CH 600V 18A PWRFLAT HV
STB7ANM60N
MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK