Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
STL50DN6F7
Product Overview
Κατασκευαστής:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
STL50DN6F7-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 60V 57A POWERFLAT
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 57A (Tc) 62.5W Surface Mount PowerFlat™ (5x6)
Αποθέμα:
12872897
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
STL50DN6F7 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
STMicroelectronics
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
STripFET™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
57A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
11mOhm @ 7.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
17nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1035pF @ 30V
Ισχύς - Μέγιστη
62.5W
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerVDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
PowerFlat™ (5x6)
Βασικός αριθμός προϊόντος
STL50
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πόροι σχεδίασης
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
497-16488-6
497-16488-2
497-16488-1
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPG20N06S4L11ATMA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4720
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPG20N06S4L11ATMA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.65
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PJQ5866A_R2_00001
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Panjit International Inc.
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2760
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PJQ5866A_R2_00001-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.29
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
STC5NF30V
MOSFET 2N-CH 30V 5A 8TSSOP
STL36DN6F7
MOSFET 2N-CH 60V 33A POWERFLAT
STS1DN45K3
MOSFET 2N-CH 450V 0.5A 8SOIC
