Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
PJQ5866A_R2_00001
Product Overview
Κατασκευαστής:
Panjit International Inc.
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
PJQ5866A_R2_00001-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2N-CH 60V 7A/40A 8DFN
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 60V 7A (Ta), 40A (Tc) 1.7W (Ta), 56W (Tc) Surface Mount DFN5060B-8
Αποθέμα:
2760 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12970745
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
PJQ5866A_R2_00001 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
PANJIT
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
60V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
7A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
17mOhm @ 20A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
13.5nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1574pF @ 25V
Ισχύς - Μέγιστη
1.7W (Ta), 56W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-PowerTDFN
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DFN5060B-8
Βασικός αριθμός προϊόντος
PJQ5866
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
3757-PJQ5866A_R2_00001DKR
3757-PJQ5866A_R2_00001TR
3757-PJQ5866A_R2_00001CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
Not Applicable
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
PJQ5606_R2_00001
MOSFET N/P-CH 30V 7A 8DFN
PJS6600_S1_00001
MOSFET N/P-CH 30V 1.6A SOT23-6
PJX8802_R1_00001
MOSFET 2N-CH 20V 0.7A SOT563