Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
STH80N10LF7-2AG
Product Overview
Κατασκευαστής:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
STH80N10LF7-2AG-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 100V 80A H2PAK-2
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 110W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Αποθέμα:
12946006
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
STH80N10LF7-2AG Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
STMicroelectronics
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
STripFET™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
100 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
80A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
10mOhm @ 40A, 10V
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
28.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
2900 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
110W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 175°C (TJ)
Βαθμολογώ
Automotive
Προσόν
AEC-Q101
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
H2PAK-2
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
STH80
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RSJ650N10TL
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
970
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
RSJ650N10TL-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.94
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
HUF75545S3ST
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
6270
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
HUF75545S3ST-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.50
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
STB14NK50Z-1
MOSFET N-CH 500V 14A I2PAK
AUIRFS8405TRL
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
2SK536-TB-E
N-CHANNEL ENHANCEMENT MOS SILICO
