2SK536-TB-E
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

2SK536-TB-E

Product Overview

Κατασκευαστής:

Sanyo

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

2SK536-TB-E-DG

Περιγραφή:

N-CHANNEL ENHANCEMENT MOS SILICO
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 50 V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount 3-CP

Αποθέμα:

3000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12946019
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

2SK536-TB-E Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
50 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
20Ohm @ 10mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
15 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
200mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
125°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
3-CP
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
1,411
Άλλα ονόματα
2156-2SK536-TB-E
ONSSNY2SK536-TB-E

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
fairchild-semiconductor

FCP130N60

MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3

nxp-semiconductors

BUK7628-100A,118

MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK

fairchild-semiconductor

FCP13N60N

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

international-rectifier

AUIRFS8405

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK