Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
2SK536-TB-E
Product Overview
Κατασκευαστής:
Sanyo
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
2SK536-TB-E-DG
Περιγραφή:
N-CHANNEL ENHANCEMENT MOS SILICO
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 50 V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount 3-CP
Αποθέμα:
3000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12946019
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
2SK536-TB-E Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
Συσκευασία
Bulk
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
50 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
20Ohm @ 10mA, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
-
Vgs (Μέγ.)
±12V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
15 pF @ 10 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
200mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
125°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
3-CP
Συσκευασία / Θήκη
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,411
Άλλα ονόματα
2156-2SK536-TB-E
ONSSNY2SK536-TB-E
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
FCP130N60
MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
BUK7628-100A,118
MOSFET N-CH 100V 47A D2PAK
FCP13N60N
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1