Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
STF10N62K3
Product Overview
Κατασκευαστής:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
STF10N62K3-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220FP
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 620 V 8.4A (Tc) 30W (Tc) Through Hole TO-220FP
Αποθέμα:
12875914
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
STF10N62K3 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
STMicroelectronics
Συσκευασία
Tube
Σειρά
SuperMESH3™
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
620 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
8.4A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
750mOhm @ 4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4.5V @ 100µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
42 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±30V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1250 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
30W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220FP
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3 Full Pack
Βασικός αριθμός προϊόντος
STF10
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFIB6N60APBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
900
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFIB6N60APBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.71
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
R6007KNX
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Rohm Semiconductor
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
R6007KNX-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.02
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SCT30N120D2
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
STP18N60M6
MOSFET N-CH 600V 13A TO220
STI32N65M5
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
