Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
SCT30N120D2
Product Overview
Κατασκευαστής:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
SCT30N120D2-DG
Περιγραφή:
SICFET N-CH 1200V 40A HIP247
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 1200 V 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™
Αποθέμα:
12875915
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
SCT30N120D2 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
STMicroelectronics
Συσκευασία
-
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
SiCFET (Silicon Carbide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
1200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
40A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
20V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
100mOhm @ 20A, 20V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
105 nC @ 20 V
Vgs (Μέγ.)
+25V, -10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1700 pF @ 400 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
270W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 200°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
HiP247™
Συσκευασία / Θήκη
TO-247-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
SCT30
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
490
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
STP18N60M6
MOSFET N-CH 600V 13A TO220
STI32N65M5
MOSFET N-CH 650V 24A I2PAK
STH52N10LF3-2AG
MOSFET N-CH 100V 52A H2PAK-2