Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
STB42N65M5
Product Overview
Κατασκευαστής:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
STB42N65M5-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V 33A D2PAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 33A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK
Αποθέμα:
3407 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12875095
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
STB42N65M5 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
STMicroelectronics
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
MDmesh™ V
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
33A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
79mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
4650 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
190W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
D2PAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Βασικός αριθμός προϊόντος
STB42
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
1,000
Άλλα ονόματα
-760-STB42N65M5TR-DG
-1138-STB42N65M5CT
497-STB42N65M5DKR
497-8769-6-DG
-1138-STB42N65M5TR
497-8769-1
497-8769-2
497-8769-2-DG
497-8769-6
-1138-STB42N65M5-DG
497-STB42N65M5TR
497-8769-1-DG
497-STB42N65M5CT
-760-STB42N65M5TR
-1138-STB42N65M5
-1138-STB42N65M5DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
STFW8N120K5
MOSFET N-CH 1200V 6A TO3PF
STL15N3LLH5
MOSFET N-CH 30V 15A POWERFLAT
STP200NF03
MOSFET N-CH 30V 120A TO220AB