STP52N25M5
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

STP52N25M5

Product Overview

Κατασκευαστής:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

STP52N25M5-DG

Περιγραφή:

MOSFET N-CH 250V 28A TO220
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 250 V 28A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220

Αποθέμα:

551 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
12875104
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

STP52N25M5 Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
STMicroelectronics
Συσκευασία
Tube
Σειρά
MDmesh™ V
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
250 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
28A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
65mOhm @ 14A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
5V @ 100µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
47 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1770 pF @ 50 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
110W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
STP52N

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
497-11233-5
-497-11233-5

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Εναλλακτικά Μοντέλα

ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTP50N25T
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
IXYS
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
533
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IXTP50N25T-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.35
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDP51N25
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDP51N25-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.13
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDP33N25
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
0
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
FDP33N25-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.80
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Direct
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SUP40N25-60-E3
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
475
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
SUP40N25-60-E3-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
2.17
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPP600N25N3GXKSA1
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
647
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IPP600N25N3GXKSA1-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.36
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
stmicroelectronics

STL13N65M2

MOSFET N-CH 650V 6.5A POWERFLAT

stmicroelectronics

STP40NF20

MOSFET N-CH 200V 40A TO220AB

stmicroelectronics

STP6N62K3

MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220AB

stmicroelectronics

STF21NM60N

MOSFET N-CH 600V 17A TO220FP