Αρχική
Προϊόντα
Κατασκευαστές
Σχετικά με DiGi
Επικοινωνήστε μαζί μας
Τα Blogs & Αναρτήσεις
Αίτηση προσφοράς/Προσφορά
Greek
Σύνδεση
Επιλογή Γλώσσας
Τρέχουσα γλώσσα της επιλογής σας:
Greek
Διακόπτης:
Αγγλικά
Ευρώπη
Ηνωμένο Βασίλειο
Γαλλία
Ισπανία
Τουρκία
Μολδαβία
Λιθουανία
Νορβηγία
Γερμανία
Πορτογαλία
Σλοβακία
Ιταλία
Φινλανδία
Ρωσικά
Βουλγαρία
Δανία
Εσθονία
Πολωνία
Ουκρανία
Σλοβενία
Τσεχικά
Ελληνικά
Κροατία
Ισραήλ
Σερβία
Λευκορωσία
Ολλανδία
Σουηδία
Μαυροβούνιο
Βασκικά
Ισλανδία
Βοσνία
Ουγγρικά
Ρουμανία
Αυστρία
Βέλγιο
Ιρλανδία
Ασία / Ειρηνικός
Κίνα
Βιετνάμ
Ινδονησία
Ταϊλάνδη
Λάος
Φιλιππινικά
Μαλαισία
Κορέα
Ιαπωνία
Χονγκ Κονγκ
Ταϊβάν
Σιγκαπούρη
Πακιστάν
Σαουδική Αραβία
Κατάρ
Κουβέιτ
Καμπότζη
Μυανμάρ
Αφρική, Ινδία και Μέση Ανατολή
Ηνωμένα Αραβικά Εμιράτα
Τατζικιστάν
Μαδαγασκάρη
Ινδία
Ιράν
ΛΔ Κονγκό
Νότια Αφρική
Αίγυπτος
Κένυα
Τανζανία
Γκάνα
Σενεγάλη
Μαρόκο
Τυνησία
Νότια Αμερική / Ωκεανία
Νέα Ζηλανδία
Αγκόλα
Βραζιλία
Μοζαμβίκη
Περού
Κολομβία
Χιλή
Βενεζουέλα
Ισημερινός
Βολιβία
Ουρουγουάη
Αργεντινή
Παραγουάη
Αυστραλία
Βόρεια Αμερική
Ηνωμένες Πολιτείες
Αϊτή
Καναδάς
Κόστα Ρίκα
Μεξικό
Σχετικά με DiGi
Σχετικά με εμάς
Σχετικά με εμάς
Οι Πιστοποιήσεις μας
DiGi Εισαγωγή
Γιατί DiGi
Πολιτική
Πολιτική Ποιότητας
Όροι χρήσης
Συμμόρφωση RoHS
Διαδικασία Επιστροφής
Πόροι
Κατηγορίες προϊόντων
Κατασκευαστές
Τα Blogs & Αναρτήσεις
Υπηρεσίες
Εγγύηση Ποιότητας
Τρόπος Πληρωμής
Παγκόσμια Αποστολή
Τιμές Αποστολής
Συχνές Ερωτήσεις
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
IRF640
Product Overview
Κατασκευαστής:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
IRF640-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Αποθέμα:
RFQ Online
12874811
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
*
Εταιρεία
*
Όνομα Επαφής
*
Τηλέφωνο
*
Ηλεκτρονικό ταχυδρομείο
Διεύθυνση Παράδοσης
Μήνυμα
N
E
2
r
(
*
) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
IRF640 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
STMicroelectronics
Συσκευασία
-
Σειρά
MESH OVERLAY™
Κατάσταση προϊόντος
Obsolete
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
200 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
18A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
180mOhm @ 9A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
4V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±20V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1560 pF @ 25 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
125W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Through Hole
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TO-220
Συσκευασία / Θήκη
TO-220-3
Βασικός αριθμός προϊόντος
IRF6
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
IRF640(FP)
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
50
Άλλα ονόματα
497-2759-5-NDR
497-2759-5
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF640PBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Vishay Siliconix
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
1594
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF640PBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.73
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PHP20NQ20T,127
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
NXP Semiconductors
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
8796
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
PHP20NQ20T,127-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.02
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF640NPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
63317
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF640NPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.41
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFB4620PBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
724
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRFB4620PBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
1.02
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF200B211
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
4746
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF200B211-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.51
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
STF10N60M2
MOSFET N-CH 600V 7.5A TO220FP
STD3N65M6
MOSFET N-CH 650V DPAK
STWA20N95DK5
MOSFET N-CH 950V 18A TO247
STH360N4F6-2
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2