Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
STD3N65M6
Product Overview
Κατασκευαστής:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
STD3N65M6-DG
Περιγραφή:
MOSFET N-CH 650V DPAK
Λεπτομερής Περιγραφή:
N-Channel 650 V 3.5A (Tc) 45W (Tc) Surface Mount DPAK
Αποθέμα:
12874825
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
STD3N65M6 Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, Μοναδικά FET, MOSFETs
Κατασκευαστής
STMicroelectronics
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
MDmesh™ M6
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τύπος FET
N-Channel
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
650 V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
3.5A (Tc)
Τάση κίνησης (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
1.5Ohm @ 1.75A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
3.75V @ 250µA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (Μέγ.)
±25V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
150 pF @ 100 V
Δυνατότητα FET
-
Απαγωγή ισχύος (μέγ.)
45W (Tc)
Θερμοκρασία λειτουργίας
-55°C ~ 150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
DPAK
Συσκευασία / Θήκη
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Βασικός αριθμός προϊόντος
STD3N65
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
2,500
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
STWA20N95DK5
MOSFET N-CH 950V 18A TO247
STH360N4F6-2
MOSFET N-CH 40V 180A H2PAK-2
STL13N60DM2
MOSFET N-CH 600V 8A POWERFLAT HV
