US6K2TR
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

US6K2TR

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

US6K2TR-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2N-CH 30V 1.4A TUMT6
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 1.4A 1W Surface Mount TUMT6

Αποθέμα:

8837 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13526671
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

US6K2TR Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 N-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.4A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
240mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
2nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
70pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
1W
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-SMD, Flat Leads
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TUMT6
Βασικός αριθμός προϊόντος
US6K2

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Πόροι σχεδίασης
Έγγραφα αξιοπιστίας
Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
US6K2DKR
US6K2CT

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

QS8J1TR

MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8

rohm-semi

QH8MA3TCR

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A TSMT8

rohm-semi

QS6J3TR

MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6

rohm-semi

QS6J1TR

MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6