QS6J1TR
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

QS6J1TR

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

QS6J1TR-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 1.5A 1.25W Surface Mount TSMT6 (SC-95)

Αποθέμα:

8830 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13526752
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

QS6J1TR Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.5A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
215mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
3nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
270pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
1.25W
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TSMT6 (SC-95)
Βασικός αριθμός προϊόντος
QS6J1

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
QS6J1DKR
846-QS6J1CT
QS6J1TR-ND
QS6J1DKR-ND
846-QS6J1DKR
846-QS6J1TR
QS6J1CT
QS6J1CT-ND

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

SP8M3FU6TB

MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP

rohm-semi

SP8M2FU6TB

MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP

rohm-semi

MP6M12TCR

MOSFET N/P-CH 30V 5A MPT6

rohm-semi

US5K3TR

MOSFET 2N-CH 30V 1.5A TUMT5