Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
US6J2TR
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
US6J2TR-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 20V 1A TUMT6
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 20V 1A 1W Surface Mount TUMT6
Αποθέμα:
5854 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13524886
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
US6J2TR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
390mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
2.1nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
150pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
1W
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-SMD, Flat Leads
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TUMT6
Βασικός αριθμός προϊόντος
US6J2
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
US6J2DKR
US6J2CT
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF7104TRPBF
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
Infineon Technologies
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
3696
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
IRF7104TRPBF-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.28
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SH8M13GZETB
MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A 8SOP
QS8J5TR
MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8
SP8K5TB
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOP