Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:
QS8J5TR
Product Overview
Κατασκευαστής:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:
QS8J5TR-DG
Περιγραφή:
MOSFET 2P-CH 30V 5A TSMT8
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V 5A 600mW Surface Mount TSMT8
Αποθέμα:
2587 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13524904
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
Ελάχιστο 1
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ
QS8J5TR Τεχνικές Προδιαγραφές
Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Not For New Designs
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
5A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
39mOhm @ 5A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
19nC @ 10V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
1100pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
600mW
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
8-SMD, Flat Lead
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TSMT8
Βασικός αριθμός προϊόντος
QS8J5
Φυλλάδιο & Έγγραφα
Πόροι σχεδίασης
Έγγραφα αξιοπιστίας
Φύλλα δεδομένων
Πρόσθετες Πληροφορίες
Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
846-QS8J5TR
QS8J5TR-ND
846-QS8J5CT
846-QS8J5DKR
Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη
Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Εναλλακτικά Μοντέλα
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ECH8667-TL-H
ΚΑΤΑΣΚΕΥΑΣΤΗΣ
onsemi
ΔΙΑΘΕΣΙΜΗ ΠΟΣΟΤΗΤΑ
2555
ΑΡΙΘΜΟΣ ΜΕΡΟΥΣ
ECH8667-TL-H-DG
ΤΙΜΗ ΜΟΝΑΔΑΣ
0.34
ΤΥΠΟΣ ΥΠΟΚΑΤΑΣΤΑΣΗΣ
Similar
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
SP8K5TB
MOSFET 2N-CH 30V 3.5A 8SOP
SP8K31FRATB
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8SOP
HS8K1TB
MOSFET 2N-CH 30V 10A/11A HSML