US6J12TCR
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

US6J12TCR

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

US6J12TCR-DG

Περιγραφή:

MOSFET 2P-CH 12V 2A TUMT6
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 12V 2A (Ta) 910mW (Ta) Surface Mount TUMT6

Αποθέμα:

3000 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13525978
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

US6J12TCR Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
2 P-Channel (Dual)
Δυνατότητα FET
-
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
12V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
2A (Ta)
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
105mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
1V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
7.6nC @ 4.5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
850pF @ 6V
Ισχύς - Μέγιστη
910mW (Ta)
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-SMD, Flat Leads
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TUMT6
Βασικός αριθμός προϊόντος
US6J12

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
US6J12TCRTR
US6J12TCRCT
US6J12TCRDKR

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

QH8K51TR

MOSFET 2N-CH 100V 2A TSMT8

rohm-semi

US6M1TR

MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6

rohm-semi

QS8J2TR

MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8

rohm-semi

SH8J66TB1

MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP