US6M1TR
Αριθμός προϊόντος κατασκευαστή:

US6M1TR

Product Overview

Κατασκευαστής:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Αριθμός Μέρους:

US6M1TR-DG

Περιγραφή:

MOSFET N/P-CH 30V/20V TUMT6
Λεπτομερής Περιγραφή:
Mosfet Array 30V, 20V 1.4A, 1A 1W Surface Mount TUMT6

Αποθέμα:

11980 Κομμάτια Νέα Πρωτότυπα Διαθέσιμα
13526032
Αίτηση Προσφοράς
Ποσότητα
Ελάχιστο 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) είναι υποχρεωτικό
Θα επικοινωνήσουμε μαζί σας εντός 24 ωρών
ΥΠΟΒΑΛΛΩ

US6M1TR Τεχνικές Προδιαγραφές

Κατηγορία
FETs, MOSFETs, FET, Συστοιχίες MOSFET
Κατασκευαστής
ROHM Semiconductor
Συσκευασία
Tape & Reel (TR)
Σειρά
-
Κατάσταση προϊόντος
Active
Τεχνολογία
MOSFET (Metal Oxide)
Διαμόρφωση
N and P-Channel
Δυνατότητα FET
Logic Level Gate
Αποστράγγιση στην τάση πηγής (Vdss)
30V, 20V
Ρεύμα - συνεχής αποστράγγιση (id) @ 25°C
1.4A, 1A
Rds On (Μέγ.) @ Id, Vgs
240mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (ου) (Μέγ.) @ ID
2.5V @ 1mA
Χρέωση πύλης (Qg) (μέγ.) @ Vgs
2nC @ 5V
Χωρητικότητα εισόδου (Ciss) (μέγ.) @ Vds
70pF @ 10V
Ισχύς - Μέγιστη
1W
Θερμοκρασία λειτουργίας
150°C (TJ)
Τύπος τοποθέτησης
Surface Mount
Συσκευασία / Θήκη
6-SMD, Flat Leads
Πακέτο συσκευής προμηθευτή
TUMT6
Βασικός αριθμός προϊόντος
US6M1

Φυλλάδιο & Έγγραφα

Πόροι σχεδίασης
Έγγραφα αξιοπιστίας
Φύλλα δεδομένων

Πρόσθετες Πληροφορίες

Standard Πακέτο
3,000
Άλλα ονόματα
US6M1DKR
US6M1CT
Q5785284

Περιβαλλοντική & Εξαγωγική Κατάταξη

Κατάσταση RoHS
ROHS3 Compliant
Επίπεδο ευαισθησίας στην υγρασία (MSL)
1 (Unlimited)
Κατάσταση REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Πιστοποίηση DIGI
Σχετικά προϊόντα
rohm-semi

QS8J2TR

MOSFET 2P-CH 12V 4A TSMT8

rohm-semi

SH8J66TB1

MOSFET 2P-CH 30V 9A 8SOP

rohm-semi

QH8K22TCR

MOSFET 2N-CH 40V 6.5A TSMT8

rohm-semi

QS8M12TCR

MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8